最近、SiC-MOSFETや横型GaN on Siなどのワイドバンドギャップ（WBG）デバイスの低損失・高周波特性を活かした小型で高パワー密度のパワーモジュールの研究・開発が急速に進められている。本講演では、最新のパワーデバイス、パワーモジュールの特徴を述べるとともに現在、我々が研究開発を進めている次世代パワーモジュールおよび、その要素技術である低熱抵抗化、低インダクタンス化などに関して説明する。

講師：東北大学　高橋 良和 様

GaN縦型パワーデバイスは次世代の大電流・高耐圧パワーデバイスと期待されている。2013年以降、日・米・欧で複数の大型プロジェクトが推進され、その中でも我が国は、結晶技術、デバイス技術、基礎物性評価で世界の研究をリードしている。本講演では、この10年間の研究開発の進展、現在の重要トピック、海外の動向も含めた将来展望について述べる。

講師：名古屋大学 須田 淳 様

先進のパワーエレクトロニクス回路における構造設計の手法について講演します。高性能な回路を実現するには、寄生パラメータの制御が不可欠である。さらに、損失を最小限に抑えるための最適なスイッチング波形の実現も重要な課題である。これらの課題に対処するための設計手法や、ゲート駆動回路の役割について紹介する。本講演を通じて、パワーエレクトロニクス回路の設計における最新の技術動向と実用的な知見を示す。

講師：東京都立大学　和田 圭二 様

スイッチング電源回路は小型化高効率化の要求により高速化が進んでおり、スルーレート(di/dt) で1A/ns を超えるものも出てきています。この高いスルーレートは、レイアウトの寄生成分により電圧スパイクやEMI の問題の要因になります。この問題を検証するためには、基板の影響を考慮した回路検証が重要です。本セミナーでは、基板の電磁界解析が可能なADS PEProを使用したEMI の検証フローをご紹介します。

講師：キーサイト　佐々木 広明